Memoria UV-EPROM

En la zona central hay una compuerta flotante aislada eléctricamente del resto de la estructura. Cuando aplicamos una tensión de aproximadamente 25 V entre el terminal de compuerta de control y el drenaje, la compuerta flotante recibe una carga eléctrica que se convierte en un punto de memoria. La carga almacenada en la zona deja un estado lógico alto, que sólo puede ser borrado mediante radiación ultravioleta. De esta manera, si queremos borrar algo tendremos que reprogramar todo el dispositivo. Memorias EEPROM o EAPROM (Memorias de solo lectura programables y borrables eléctricamente): Su estructura interna es parecida a las UV-EPROM, solo que estas solo se pueden borrar aplicando una tensión inversa.